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DATEL數模轉換器DAC 8位到16位

2025-12-12 09:31:31

DATEL DAC 產品提供 高速、高精度、寬溫、軍工級 多種選擇，適用于從消費級到航空航天級的廣泛需求。如需具體型號推薦，可進一步提供應用場景參數（如采樣率、溫度范圍等）。

Renesas瑞薩R7F122FGG3AFB-C,R7F125FPL3AFB-C車規級16位MCU

2025-12-11 10:07:08

瑞薩電子RL78/F22和F25系列是專為汽車電子和工業控制設計的高可靠性微控制器，具備超低功耗（1.8V~5.5V寬電壓）、高性能（40MHz主頻）和功能安全（ISO 26262 ASIL-B）特性。F22（128KB Flash）適用于經濟型應用如車燈控制，而F25（512KB Flash）支持CAN-FD和更復雜場景如車身控制模塊。全系集成硬件加密（AES/TRNG）、豐富外設（ADC/DAC/觸摸感應），并提供完整開發工具鏈，是汽車級嵌入式系統的理想選擇。

Marvell 88E6361單芯片8端口以太網交換機

2025-12-11 09:41:47

Marvell 88E6361是一款高度集成的8端口千兆以太網交換芯片，集成了5個10/100/1000Mbps PHY和3個高速SerDes接口（包含2個2.5G SerDes和1個可配置為2.5G SerDes或RGMII的接口）。特別適用于SMB交換機、工業網關和云管理交換機等應用場景。

210-0603,210-0508 MTI-MILLIREN 210系列OCXO 14 Pin DIP封裝

2025-12-10 09:14:19

MTI-MILLIREN 210系列OCXO適用于對性能要求高的場景，具備低功耗（25°C時連續功耗≤0.70W）、STRATUM III性能、低相位噪聲等特點，應用領域包括STRATUM III、電信、微波無線電等。

DATEL DAC-1025SE 10位250MSPS高速DAC芯片

2025-12-09 09:02:59

DATEL DAC-1025SE 是一款高性能10位分辨率、250 MSPS采樣率的數字模擬轉換器(DAC)，專為高速信號處理而設計。它采用低功耗架構，支持+3V至+5V單電源供電，內置1.2V精密基準電壓，并具備CMOS輸入鎖存功能，適用于醫療成像、通信基站、測試測量等高精度、高動態范圍應用場景。

Semelab RF功率MOSFET產品系列選型對比表

2025-12-08 09:39:15

Semelab（現屬TT Electronics）的RF功率MOSFET產品，具備0.52mΩ超低導通電阻（以D2000系列為例）、高增益（最高13dB）、寬頻帶（1MHz - 2GHz）及緊湊封裝（DP/SO8/DK等）特性，滿足VHF/UHF通信、廣播發射、工業加熱、汽車電子（需補充具體型號）等高頻高功率場景需求。

Onsemi NVMFWS系列汽車級低/中壓MOSFET

2025-12-08 09:34:37

Onsemi NVMFWS系列是符合AEC-Q101認證的汽車級MOSFET，采用PowerTrench?技術實現0.52mΩ超低導通電阻和414A超高電流能力，搭配5×6mm2 SO-8FL緊湊封裝優化布局空間。其低柵極電荷(Qg)設計提升開關效率，并通過RoHS/無鹵素環保認證，專攻新能源汽車（電機驅動/OBC）、工業自動化（伺服機器人）、電池管理（BMS）及高頻電源系統（同步整流）等高可靠性場景，滿足PPAP文檔要求。

onsemi NTMFS4D系列功率MOSFET

2025-12-08 09:30:26

onsemi 安森美NTMFS4D系列功率MOSFET是一款高性能器件，具有3.5mΩ超低導通電阻和119A大電流承載能力，采用緊湊型DFN5封裝（5x6mm）優化空間占用，并通過3.5°C/W超低熱阻和軟體二極管恢復技術顯著提升散熱效率與開關性能，適用于電機驅動、電池保護（如電動汽車）、同步整流及汽車/工業電源管理等場景

Vishay S222M33Z5UP6UK5R高壓陶瓷圓片電容1 kV~6 kV

2025-12-05 09:02:55

Vishay BCcomponents S Series 是高性能陶瓷單層直流圓片電容器系列，涵蓋1kVDC至6kVDC額定電壓及10pF-33nF電容范圍，適用于高壓濾波（測試電壓達額定值200%）、工業控制及醫療設備等場景。

Ampleon BLP981 170W LDMOS晶體管

2025-12-04 09:29:15

Ampleon BLP981 是一款高頻大功率 LDMOS 晶體管，專為廣播、航空電子等嚴苛應用設計，工作頻率覆蓋 HF 至 1400 MHz，支持 170W 輸出功率，具備 23.8 dB 高增益和 73% 漏極效率（700 MHz 測試），集成 ESD 保護，可耐受 40:1 電壓駐波比的極端負載失配，采用 TO-270-2F-1 封裝（3 引腳帶散熱法蘭），符合 RoHS 標準，典型應用于 DVB-T 發射機、機載通信和專業無線系統，最大結溫 225°C（需控制長期高溫），工作電壓 108V。

ARINC429總線驅動芯片DEI1070A/1071A/1072A/1073A/1074A/1075A

2025-12-03 09:15:56

Device Engineering 的 DEI107xA 系列是軍規級（-55~+125°C）ARINC 429 線路驅動器，可將 TTL/CMOS 串行數據轉換為標準 ±5 V 三電平差分信號，12.5 k/100 k 雙速率可選、±9.5~16.5 V 寬壓供電、內建短路保護與 2 kV ESD，8-SOIC 散熱封裝；1073A/74A/75A 另帶三態輸出便于總線共享，為飛控、導航、航電測試提供高可靠、高速數據通信一站式驅動方案。

DATEL DAC-1212SE高性能12位DAC

2025-12-02 09:10:17

DAC-1212SE是DATEL公司推出的12位125MSPS高速數字模擬轉換器，具有72dB動態范圍和35ns建立時間的高性能表現，支持3-5V單電源供電及內置/外接基準電壓。該器件采用28引腳TSSOP封裝，具備-40°C至105°C寬溫工作能力與RoHS認證，其2-20mA可調輸出、0.075W低功耗模式及CMOS輸入鎖存特性，使其在通信基站、醫療成像、軍工電子和工業控制等嚴苛環境中具有顯著優勢。

Semelab RF VDMOS功率MOSFET

2025-12-01 09:18:23

Semelab RF VDMOS功率MOSFET采用硅垂直DMOS與金金屬化工藝，1 MHz–1 GHz超寬帶、750 mW–400 W全功率段覆蓋，VHF增益20 dB、UHF 16 dB，可承受20:1 VSWR，12.5 V/28 V/50 V多電壓選項，全系列RoHS合規，提供鉆石增強封裝，廣泛應用于通信基站、國防干擾機、醫療及EMC測試等高可靠性場景。

Semelab D1008UK 80W射頻MOSFET 適用HF/VHF/UHF

2025-11-26 09:28:58

Semelab推出的D1008UK（TetraFET）是一款采用推挽架構的80W寬帶射頻功率MOSFET，覆蓋1MHz-500MHz頻段，具備13dB高增益和75%峰值效率（400MHz），其TO-270金屬陶瓷封裝配合1.0°C/W超低熱阻，可耐受20:1 VSWR失配，專為高頻通信（業余電臺/廣播發射機）、軍用雷達、工業射頻加熱及推挽放大器等高要求場景設計。

Rogers RO3206高頻PCB層壓板材料

2025-11-25 09:14:18

RO3206是一種高性能陶瓷填充玻璃纖維增強層壓板，作為RO3000系列的升級產品，具有6.15±0.15的穩定介電常數（10GHz）和極低損耗（0.0027@10GHz），廣泛應用于汽車GPS、5G基站、衛星通信等高頻場景。

QTCC230 Q-Tech 32.768 kHz/1.5 MHz至133 MHz HCMOS石英晶體振蕩器

2025-11-25 09:05:16

Q-Tech Corporation的QTCC230系列為低剖面（2.5×3.2×1.15mm）微型SMD晶體振蕩器，工作頻率范圍1.5 - 133MHz（32.768kHz），電壓支持1.8V、2.5V、3.3V（直流），采用密封表面貼裝封裝（可選軍用屏蔽）。適用于軍事/航空、通信、工業、嵌入式系統等領域。

NXP NCJ29D5超寬帶(UWB)汽車應用IC

2025-11-21 08:59:39

NXP NCJ29D5是一款面向汽車場景的UWB芯片，采用6-8.5GHz頻段和Arm? Cortex?處理器，通過厘米級定位（誤差<10cm）和硬件加密引擎，為智能鑰匙（PEPS）、代客泊車及無感支付（ETC/充電）提供超高精度空間感知。其HVQFN40封裝集成電源管理單元，在防中繼攻擊的同時實現超低功耗，全面滿足車規級動態環境需求。

Linear Integrated Systems SST4391 SOT-23 JFET N溝道40V可替代Siliconix

2025-11-21 08:50:47

SST4391是Linear Integrated Systems推出的高性能單N溝道JFET開關，可替代Siliconix 2N/PNSST4391，具備30Ω超低導通電阻和15ns快速切換能力。其提供TO-18/TO-92/SOT-23三種封裝，支持-65℃~200℃寬溫工作（2N/PN封裝）。

PmT DRO-SMT介質諧振器振蕩器6-24GHz

2025-11-20 09:48:41

Princeton Microwave PmT DRO-SMT 是一款 6–24 GHz 可定制表面貼裝介質諧振振蕩器，輸出 ≥13 dBm，相位噪聲低至 –95 dBc/Hz@100 kHz，溫漂 ±0.05 %，以低相噪、小體積和高穩定性服務于微波通信與雷達系統。

OH4610LF-020.0M Connor Winfield OCXO振蕩器

2025-11-19 09:14:45

OH4系列是Connor-Winfield公司研發的高精度恒溫晶體振蕩器（OCXO/OCVCXO），采用14引腳DIP封裝，頻率覆蓋6.4MHz~40MHz（可定制更高頻率），提供固定/可調頻率選項，具有超低頻率漂移（±5ppb穩定度）、多輸出模式（LVCMOS/HCMOS/正弦波）及強環境適應性（抗震10G/抗沖擊1500G），廣泛應用于5G基站同步、衛星導航、測試儀表及軍工航天等對時序要求嚴苛的領域，符合ITU-T G.8262/3標準。