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IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管

發(fā)布時間：2021-02-22 17:15:14 瀏覽：4378

IR-HiRel氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

IR-HiRel GaN功率晶體管最重要的特性是其反向恢復性能。因為IR HiRe的CoolGaN? 晶體管沒有少數載流子和體二極管，所以它們沒有反向恢復。

使用

IR-HiRel系列在許多應用中給各種系統(tǒng)帶來了可觀的價值。這些e-mode HEMTs針對服務器和消費類工業(yè)應用，具有市場上最強大和性能概念，例如服務器、數據通信、電信、適配器/充電器、無線充電和音頻。

在高功率應用中使用IR-HiRel的CoolGaN? 服務器電源和電信應用程序可以節(jié)省成本并增加每個機架的電源。由于其硬開關功能，它還允許更簡單的控制方案和提高效率相比，下一個最好的硅替代品。

GaN技術在適配器和充電器電源方面的突破是功率密度小、重量輕、效率高的解決方案。用IR-HiRel實現(xiàn)CoolGaN? 無線功率傳輸可以在更高的功率水平上實現(xiàn)高效率，實現(xiàn)E級設計中的最佳調節(jié)。

CoolGaN? 400V設備D級音頻最大限度地提高音頻性能，提供卓越的音質。此外，幾乎沒有熱設計限制，它非常易于使用，并與IR HiRel的ERU兼容? D類音頻放大器兼容。

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IR HiRel.png

Product	Package name	Technology	VDS max [V]	RDS (on) max [?]	QG [C]	Mounting	OPN	ID max [A]	IDpuls max [A]	ID @25°C max [A]
IGT60R070D1	PG-HSOF-8	CoolGaN?	600	70	5.8	SMT	IGT60R070D1ATMA1	31	60	31
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IGLD60R070D1	PG-LSON-8	CoolGaN?	600	70	5.8	SMT	IGLD60R070D1AUMA1	15	60	15
IGO60R070D1	PG-DSO-20	CoolGaN?	600	70	5.8	SMT	IGO60R070D1AUMA1	31	60	31
IGT40R070D1 E8220	PG-HSOF-8	CoolGaN?	400	70	4.5	SMT	IGT40R070D1E8220ATMA1	31	60	31
IGLD60R190D1	PG-LSON-8	CoolGaN?	600	190	3.2	SMT	IGLD60R190D1AUMA1	10	23	10
IGT60R190D1S	PG-HSOF-8	CoolGaN?	600	190	3.2	SMT	IGT60R190D1SATMA1	12.5	23	12.5

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