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Infineon英飛凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET模塊

發(fā)布時(shí)間：2024-03-05 11:33:44 瀏覽：2559

Infineon英飛凌 EasyDUAL 2B (易雙雙? 2B) CoolSiC? MOSFET系列晶體管半橋模塊是一款1200V的高性能產(chǎn)品，具有11 mΩ G1的極低電阻，集成了NTC溫度傳感器、PressFIT壓接接觸技術(shù)和預(yù)涂熱界面材料。

Infineon英飛凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET模塊

**特征描述**：

- 封裝高度為12mm，具備一流的封裝設(shè)計(jì)。

- 使用前沿的WBG材料(寬禁帶能帶材料)。

- 模塊內(nèi)部的雜散電感很低，有助于提高性能。

- 采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET Gen 1技術(shù)。

- 擴(kuò)大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口。

- 柵源電壓范圍為+23 V 和 -10 V。

- 在高達(dá)175°C的過(guò)載條件下，具備出色的TVJOP(結(jié)溫鉗位)性能。

- 使用PressFIT壓接針進(jìn)行連接。

- 集成了NTC溫度傳感器。

**優(yōu)勢(shì)**：

- 出色的組件效率，能夠提供高效的工作表現(xiàn)。

- 具備系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)，可降低整體開(kāi)銷。

- 提高系統(tǒng)效率，使系統(tǒng)更加節(jié)能。

- 降低冷卻要求，減少散熱需求。

- 支持實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率。

- 提高功率密度，實(shí)現(xiàn)更小體積的設(shè)計(jì)。

**應(yīng)用領(lǐng)域**：

- 不間斷電源(UPS)。

- 儲(chǔ)能系統(tǒng)。

- 電動(dòng)汽車快速充電。

- 燃料電池DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器。

- 太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案。

參數(shù)：

參數(shù)	FF11MR12W2M1HP_B11
應(yīng)用	儲(chǔ)能系統(tǒng) ; 電動(dòng)汽車充電器 ; UPS不間斷電源 ; 太陽(yáng)的
配置	半橋
尺寸（長(zhǎng)度）	62.8 毫米
尺寸（寬度）	48 毫米
特征	PressFIT ; TIM
Housing	Easy 2B
資格	工業(yè)
RDS（開(kāi)）（@ Tj = 25°C）	10.8毫安

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