Infineon英飛凌FF150R12KS4雙管IGBT模塊
發(fā)布時(shí)間:2024-04-23 09:41:18 瀏覽:1541

Infineon英飛凌FF150R12KS4雙管IGBT模塊是一種具有以下特點(diǎn)和優(yōu)勢的先進(jìn)產(chǎn)品:
特點(diǎn)描述:
1. 高短路能力:具有高短路能力,能夠應(yīng)對短路情況,并保持高效穩(wěn)定的運(yùn)行。
2. 自限制短路電流:具備自限制短路電流的功能,確保在短路情況下控制電流,提高了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
3. 低開關(guān)損耗:設(shè)計(jì)上減少了開關(guān)損耗,提高了能效和性能。
4. 無與倫比的堅(jiān)固性:產(chǎn)品具有出色的堅(jiān)固性,能夠在各種嚴(yán)苛的工作條件下工作。
5. VCEsat帶正溫度系數(shù):具有VCEsat帶正溫度系數(shù),提供了穩(wěn)定的性能和溫度補(bǔ)償。
6. 封裝的CTI > 400:封裝的 CTI(比較追蹤指數(shù))大于400,具有良好的絕緣性能和耐環(huán)境性能。
7. 高爬電距離和電氣間隙:產(chǎn)品具有高爬電距離和電氣間隙,提供了更高的安全性。
8. 絕緣基板:采用絕緣基板設(shè)計(jì),確保了電路部分的安全隔離。
9. 銅底板:采用銅底板設(shè)計(jì),有利于散熱和電性能優(yōu)化。
10. 標(biāo)準(zhǔn)外殼:具有標(biāo)準(zhǔn)外殼設(shè)計(jì),易于集成和應(yīng)用。
優(yōu)勢:
1. 靈活性:產(chǎn)品具有靈活性,能夠適用于多種不同的應(yīng)用場合。
2. 優(yōu)化的電氣性能:產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì),具有卓越的電氣性能,可靠性和穩(wěn)定性。
3. 高可靠性:具備高可靠性,適用于對產(chǎn)品可靠性要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域。
典型應(yīng)用:
- 高頻開關(guān)應(yīng)用
- 醫(yī)療應(yīng)用
- 電機(jī)傳動(dòng)
- 諧振逆變器應(yīng)用
- 伺服驅(qū)動(dòng)器
- UPS系統(tǒng)
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
推薦資訊
ARIZONA Capacitors W90系列額定電壓范圍為3kVDC至150kVDC,電容值最高可達(dá)2.000 μF,標(biāo)準(zhǔn)容差±10%;工作溫度范圍(G10外殼材料)按不同降額情況有所不同,全額定溫度時(shí)為 -55°C至60°C,30%降額時(shí)為 -55°C至85°C,50%降額時(shí)為 -55°C至105°C,75%降額時(shí)為 -55°C至125°C;絕緣電阻在25 - 50kΩ,1,000Hz下?lián)p耗因子小于0.6%,經(jīng)過130%額定電壓1分鐘測試,生產(chǎn)流程符合ISO 9001:2015認(rèn)證,符合MIL-STD-202測試標(biāo)準(zhǔn),可按需符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)。
Infineon英飛凌 EasyDUAL 2B (易雙雙? 2B) CoolSiC? MOSFET系列晶體管半橋模塊是一款1200V的高性能產(chǎn)品,具有11 mΩ G1的極低電阻,集成了NTC溫度傳感器、PressFIT壓接接觸技術(shù)和預(yù)涂熱界面材料。
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